SE3060K
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):53W 类型:N沟道
SE3060K的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)60A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻8mΩ @ 25A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)53W
类型N沟道
SE3060K
SE3060K及相关型号的PDF资料
型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
SE3060K | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):53W 类型:N沟道 | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 434.36 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
SE3060K的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | SE3060K | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):53W 类型:N沟道 | 1+:¥0.9213 10+:¥0.6814 30+:¥0.6374 100+:¥0.5933 500+:¥0.5737 1000+:¥0.564
|
SE3060K的相关型号
- SE3060D
- SE305-T
- SE3050K
- SE30200
- SE3018
- SE30150B
- SE30150A
- SE30150
- SE30100B
- SE300PL,YL
- SE300PL,OR
- SE300PL,GM
- SE300PL,BK
- SE300PL
- SE300ML,YL
- SE300ML,OR
- SE300ML,GM
- SE300ML,BK
- SE300ML, TAN
- SE300ML, PINK
- SE300ML, ORANGE
- SE300ML, GRAY
- SE300ML, BLACK
- SE300ML
- SE300FPL,YL
- SE300FPL,OR
- SE300FPL,GM
- SE300FPL,BK
- SE300FPL
- SE300FP1PL
- SE300FP1ML
- SE300FP1
- SE300FML,YL
- SE300FML,OR
- SE300FML,GM