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SE3018 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA 漏源电压（Vdss）：50V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4Ω @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：N沟道

SE3018的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）50V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）300mA

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻4Ω @ 20A,4.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）350mW

类型N沟道

SE3018

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SE3018	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA 漏源电压（Vdss）：50V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4Ω @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：N沟道	SINO-IC(光宇睿芯)		563.99 Kbytes	共5页		无

SE3018的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	SE3018	SINO-IC(光宇睿芯)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA 漏源电压（Vdss）：50V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4Ω @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：N沟道	20+:￥0.141949 200+:￥0.101965 600+:￥0.094621 2000+:￥0.087277 10000+:￥0.084013 20000+:￥0.0824

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