SE30150B的供应商，SE30150B规格参数，SE30150B的PDF资料

SE30150B /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：1.9mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W 类型：N沟道

SE30150B的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）150A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻1.9mΩ @ 30A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）90W

类型N沟道

SE30150B

SE30150B的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SE30150B	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宸远科技有限公司	SE30150B	深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B4	0755-23481624 19068068798，15338712396	彭先生，许娜	询价
深圳市博浩通科技有限公司	SE30150B	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
集好芯城	SE30150B	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	SE30150B	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	SE30150B	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SE30150B	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市金华微盛电子有限公司	SE30150B	深圳市福田区中航路新亚洲2期N4A131	13510157626 13510157626	柯小姐	询价

SE30150B及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
SE30150B	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：1.9mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W 类型：N沟道	SINO-IC(光宇睿芯)		371.65 Kbytes	共6页		无

SE30150B的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	SE30150B	SINO-IC(光宇睿芯)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：1.9mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W 类型：N沟道	1+:￥1.8504 10+:￥1.4006 30+:￥1.318 100+:￥1.2353 500+:￥1.1986 1000+:￥1.1805

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