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SBC857CLT1G /ON Semiconductor/分立半导体产品
SBC857CLT1G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 单路

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):45V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V

功率 - 最大值:300mW

频率 - 跃迁:100MHz

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

供应商SBC857CLT1G
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SBC857CLT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品15000+:¥0.315000+:¥0.27
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SBC857CLT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品15000+:¥0.3
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Mouser 贸泽电子
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SBC857CLT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品15000+:¥0.315000+:¥0.27
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SBC857CLT1GON(安森美)预售新品1+:¥0.574533
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