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SBC857BDW1T1G /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 45
SBC857BDW1T1G的规格信息
SBC857BDW1T1G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-363-6

晶体管极性:PNP

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:- 45 V

集电极—基极电压 VCBO:- 50 V

发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V

集电极—射极饱和电压:- 0.65 V

最大直流电集电极电流:- 100 mA

增益带宽产品fT:100 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:BC857BDW1

直流电流增益 hFE 最大值:475 at - 2 mA, - 5 V

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:ON Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:220 at - 2 mA, - 5 V

Pd-功率耗散:380 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

资格:AEC-Q101

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:7.500 mg

供应商SBC857BDW1T1G
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