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SBC847CDXV6T1G /SBC847 Series 45 V 0.1 A Surface Mount Dual General Purpose Transistor - SOT-563
SBC847CDXV6T1G的规格信息
SBC847CDXV6T1G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管类型:2 NPN(双)

电流-集电极(Ic)(最大值):100mA

不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA

电流-集电极截止(最大值):15nA(ICBO)

不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V

功率-最大值:500mW

频率-跃迁:100MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-563,SOT-666

封装形式Package:SOT-563

极性Polarity:NPN

集电极最大允许电流Ic:0.1A

集电极_发射极击穿电压VCEO:45V

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SBC847CDXV6T1G
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