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SBC847CDXV6T1G /SBC847 Series 45 V 0.1 A Surface Mount Dual General Purpose Transistor - SOT-563
SBC847CDXV6T1G的规格信息
SBC847CDXV6T1G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

晶体管类型：2 NPN（双）

电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA

不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）：600mV @ 5mA，100mA

电流-集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）：420 @ 2mA，5V

功率-最大值：500mW

频率-跃迁：100MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

封装形式Package：SOT-563

极性Polarity：NPN

集电极最大允许电流Ic：0.1A

集电极_发射极击穿电压VCEO：45V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

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Mouser 贸泽电子		SBC847CDXV6T1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品8000+:￥0.744000+:￥0.6699
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