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SBC847BLT1G /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR SPCL TR
SBC847BLT1G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:45 V

集电极—基极电压 VCBO:50 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:BC847BL

高度:0.94 mm

长度:2.9 mm

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

宽度:1.3 mm

商标:ON Semiconductor

集电极连续电流:0.1 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:200

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

资格:AEC-Q101

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:8 mg

供应商SBC847BLT1G
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SBC847BLT1GON SemiconductorSS SOT23 GP XSTR SPCL TR - Tape and Reel12,000 : $0.0479
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SBC847BLT1GON SemiconductorTRANS NPN 45V 0.1A SOT-2312,000 : $0.05104
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SBC847BLT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品12000+:¥0.37
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SBC847BLT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品12000+:¥0.371+:¥2.32
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Mouser 贸泽电子
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SBC847BLT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品12000+:¥0.371+:¥2.32
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SBC847BLT1GON(安森美)集电极电流Ic:100mA 额定功率:300mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:45V5+:¥0.548946
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