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SBC856BLT1G /双极晶体管 - 预偏置 SS GP XSTR SPCL TR
SBC856BLT1G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 预偏置

RoHS:

配置:Single

晶体管极性:PNP

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

直流集电极/Base Gain hfe Min:220

最大工作频率:100 MHz

集电极—发射极最大电压 VCEO:65 V

集电极连续电流:0.1 A

Pd-功率耗散:300 mW

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:BC856BL

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

集电极—基极电压 VCBO:80 V

高度:0.94 mm

长度:2.9 mm

宽度:1.3 mm

商标:ON Semiconductor

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

资格:AEC-Q101

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:8 mg

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SBC856BLT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 开关晶体管 - 偏压电阻器 SS GP XSTR SPCL TR12000+:¥0.321+:¥2.03
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SBC856BLT1GON SemiconductorTRANS PNP 65V 0.1A SOT-23$0.40000
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Digi-Key 得捷电子
SBC856BLT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 开关晶体管 - 偏压电阻器 SS GP XSTR SPCL TR12000+:¥0.32
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SBC856BLT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 开关晶体管 - 偏压电阻器 SS GP XSTR SPCL TR12000+:¥0.321+:¥2.03
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Mouser 贸泽电子
SBC856BLT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 开关晶体管 - 偏压电阻器 SS GP XSTR SPCL TR12000+:¥0.321+:¥2.03
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Mouser 贸泽电子
SBC856BLT1GON Semiconductor双极晶体管 - 预偏置 SS GP XSTR SPCL TR1:¥2.6894
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Rochester
SBC856BLT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 开关晶体管 - 偏压电阻器 SS GP XSTR SPCL TR12000+:¥0.321+:¥2.03
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RS(欧时)
SBC856BLT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 开关晶体管 - 偏压电阻器 SS GP XSTR SPCL TR12000+:¥0.321+:¥2.03
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
SBC856BLT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 开关晶体管 - 偏压电阻器 SS GP XSTR SPCL TR12000+:¥0.321+:¥2.03
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120000+:¥0.3101100+:¥0.77
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SBC856BLT1GON(安森美)集电极电流Ic:100mA 额定功率:300mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:65V10+:¥0.370634
100+:¥0.280147
300+:¥0.263527
1000+:¥0.246907
5000+:¥0.23952
10000+:¥0.23587