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RN1907(T5L,F,T) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
RN1907(T5L,F,T)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:RN1907-09 -

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k

电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47k

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

频率 - 跃迁:250MHz

功率 - 最大值:200mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装:US6

其它名称:RN1907(T5LFT)TR

供应商RN1907(T5L,F,T)
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10+:¥2.09
25+:¥1.62
100+:¥1.23
250+:¥0.87
500+:¥0.7
1000+:¥0.531+:¥2.32
10+:¥1.29
100+:¥0.55
1000+:¥0.42
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10+:¥1.29
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1000+:¥0.42
3000+:¥0.36
9000+:¥0.3301
24000+:¥0.3301
45000+:¥0.3
99000+:¥0.29