晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2):22 千欧
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 10mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
频率 - 跃迁:250MHz
功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:US6
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs