RN1902FE(T5L,F,T)
/Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
RN1902FE(T5L,F,T)的规格信息
数据列表:RN1901FE-06FE -
标准包装:4,000
类别:分立半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列:-
包装:带卷(TR)
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):1k
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 10mA,5V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
频率 - 跃迁:250MHz
功率 - 最大值:100mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:ES6
其它名称:RN1902FE(T5LFT)TR
RN1902FE(T5L,F,T)
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销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
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