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RN1904,LF(CT /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
RN1904,LF(CT的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

数据列表：RN1901-1906 -

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基底（R1）（欧姆）：47k

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）：47k

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：80 @ 10mA，5V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：250MHz

功率 - 最大值：200mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：US6

其它名称：RN1904LF(CTRN1904LF(CT-NDRN1904LF(CTTR

供应商RN1904,LF(CT
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RN1904,LF(CTTRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage的LOGO460.74 Kbytes共7页RN1904,LF(CT的PDF下载地址无
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Arrow(艾睿)		RN1904,LF(CTToshiba America Electronic Components, Inc.3000+:￥0.45
6000+:￥0.4
15000+:￥0.34
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75000+:￥0.29
150000+:￥0.253000+:￥0.3101
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