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RN1901(T5L,F,T) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
RN1901(T5L,F,T)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:RN1901-06 -

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7k

电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):1k

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 10mA,5V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

频率 - 跃迁:250MHz

功率 - 最大值:200mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装:US6

其它名称:RN1901(T5LFT)TR

供应商RN1901(T5L,F,T)
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RN1901(T5L,F,T)Toshiba America Electronic Components, Inc.晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 - 分立半导体产品 半导体 开关晶体管 - 偏压电阻器 Gen Trans BRT NPN US6, 50V, 100A 100mA价格未公开