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PTVA127002EV-V1-R250 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

PTVA127002EV-V1-R250的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vds-漏源极击穿电压:105 V

Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms

增益:16 dB

输出功率:700 W

最大工作温度:+ 225 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:H-36275-4

封装:Reel

工作频率:1200 MHz to 1400 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:Wolfspeed / Cree

通道数量:1 Channel

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:250

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

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PTVA127002EV-V1-R250	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	Wolfspeed / Cree		827.62 Kbytes	共10页		无

PTVA127002EV-V1-R250的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Digi-Key 得捷电子	PTVA127002EV-V1-R250	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET TRANSISTORS	$828.57172
Mouser 贸泽电子	PTVA127002EV-V1-R250	Wolfspeed / Cree	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	250:¥7,143.2046

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