PTVA104501EH-V1-R250
/射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
PTVA104501EH-V1-R250的规格信息
制造商:Cree, Inc.
产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:是
晶体管极性:N-Channel
技术:Si
Vds-漏源极击穿电压:105 V
Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms
增益:17.5 dB
输出功率:450 W
最大工作温度:+ 225 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:H-33288-2
封装:Reel
工作频率:960 MHz to 1215 MHz
类型:RF Power MOSFET
商标:Wolfspeed / Cree
通道数量:1 Channel
产品类型:RF MOSFET Transistors
工厂包装数量:250
子类别:MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
PTVA104501EH-V1-R250
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| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| PTVA104501EH-V1-R250 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET | Wolfspeed / Cree |  | 392.16 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
PTVA104501EH-V1-R250的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Digi-Key 得捷电子 | PTVA104501EH-V1-R250 | Cree/Wolfspeed | IC AMP RF LDMOS | $394.28752 |
Mouser 贸泽电子 | PTVA104501EH-V1-R250 | Wolfspeed / Cree | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET | 250:¥2,955.8088
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