制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vds-漏源极击穿电压:105 V

Rds On-漏源导通电阻:120 mOhms

增益:23.6 dB

输出功率:370 W

最大工作温度:+ 225 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-HBSOF-4-2

封装:Reel

工作频率:755 MHz to 805 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:Wolfspeed / Cree

通道数量:1 Channel

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:10 V