PTVA120251EA-V2-R250
/射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
PTVA120251EA-V2-R250的规格信息
制造商:Cree, Inc.
产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:是
晶体管极性:N-Channel
技术:Si
Vds-漏源极击穿电压:105 V
Rds On-漏源导通电阻:1.4 Ohms
增益:18 dB
输出功率:25 W
最大工作温度:+ 225 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:H-36265-2
封装:Reel
工作频率:500 MHz to 1400 MHz
类型:RF Power MOSFET
商标:Wolfspeed / Cree
通道数量:1 Channel
产品类型:RF MOSFET Transistors
工厂包装数量:250
子类别:MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
PTVA120251EA-V2-R250
PTVA120251EA-V2-R250的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Digi-Key 得捷电子 | PTVA120251EA-V2-R250 | Cree/Wolfspeed | IC AMP RF LDMOS | $68.57152 |
Mouser 贸泽电子 | PTVA120251EA-V2-R250 | Wolfspeed / Cree | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET | 250:¥591.2047
|
PTVA120251EA-V2-R250的相关型号