PTVA120121M-V1-R1K的供应商，PTVA120121M-V1-R1K规格参数，PTVA120121M-V1-R1K的PDF资料

PTVA120121M-V1-R1K /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

PTVA120121M-V1-R1K的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

技术:Si

Vds-漏源极击穿电压:105 V

Rds On-漏源导通电阻:2.96 Ohms

增益:21.5 dB

输出功率:12 W

最大工作温度:+ 225 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-SON-10

封装:Reel

工作频率:500 MHz to 1400 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:Wolfspeed / Cree

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

PTVA120121M-V1-R1K

PTVA120121M-V1-R1K的供应商,可免费索样

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深圳市辉华拓展电子有限公司	PTVA120121M-V1-R1K	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈晓玲	询价
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深圳市毅创腾电子科技有限公司	PTVA120121M-V1-R1K	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	PTVA120121M-V1-R1K	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
万三科技（深圳）有限公司	PTVA120121M-V1-R1K	深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园609	0755-21006672 18188642307	王小康	询价
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PTVA120121M-V1-R1K	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	Wolfspeed / Cree		521.70 Kbytes	共8页		无

PTVA120121M-V1-R1K的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Digi-Key 得捷电子	PTVA120121M-V1-R1K	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET LDMOS 48V PG-SON-10	$8.83750
Mouser 贸泽电子	PTVA120121M-V1-R1K	Wolfspeed / Cree	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	1,000:¥79.6085

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