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PSMN8R5-108ES /MOSFET N-Channel 100V 8.5mohm Fet
PSMN8R5-108ES的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-262-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:108 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:8.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:4.4 V

Qg-栅极电荷:111 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:263 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Nexperia

下降时间:43 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:35 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:87 ns

典型接通延迟时间:20 ns

单位重量:2.387 g

供应商PSMN8R5-108ES
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深圳市辉华拓展电子有限公司PSMN8R5-108ESQ深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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PSMN8R5-108ESQNXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品5000+:¥7.15
10000+:¥6.87
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PSMN8R5-108ES127NXP USA Inc.N-CHANNEL POWER MOSFET$0.70000
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PSMN8R5-108ESQNXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品5000+:¥7.15
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PSMN8R5-108ESNexperiaMOSFET N-Channel 100V 8.5mohm Fet价格未公开