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PSMN7R8-120ESQ /MOSFET N-channel 120 V 7.9 mo FET
PSMN7R8-120ESQ的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-262-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:120 V

Id-连续漏极电流:70 A

Rds On-漏源导通电阻:6.72 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:167 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:349 W

配置:Single

封装:Tube

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Nexperia

下降时间:60.8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:55.3 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:151.8 ns

典型接通延迟时间:45.5 ns

单位重量:2.387 g

供应商PSMN7R8-120ESQ
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深圳市宇浩扬科技有限公司PSMN7R8-120ESQ深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市毅创腾电子科技有限公司PSMN7R8-120ESQ深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市芯奕科技有限公司PSMN7R8-120ESQ深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
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PSMN7R8-120ESQPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7NXP USA Inc.NXP USA Inc.的LOGO736.73 Kbytes共13页PSMN7R8-120ESQ的PDF下载地址
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10+:¥14.08
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PSMN7R8-120ESQNXP USA Inc.POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7$0.95000
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PSMN7R8-120ESQNXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel 120 V 7.9 mo FET5000+:¥9.1999
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Mouser 贸泽电子
PSMN7R8-120ESQNexperiaMOSFET N-channel 120 V 7.9 mo FET5,000:¥7.9891
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Mouser 贸泽电子
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10000+:¥9.1999
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立创商城
PSMN7R8-120ESQNexperia(安世)MOS(场效应管)1+:¥18.94
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