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PSMN8R2-80YS,115 /MOSFET N-CH 80V 8.5 mOhm Standard MOSFET
PSMN8R2-80YS,115的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:LFPAK56-5

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Id-连续漏极电流:82 A

Rds On-漏源导通电阻:13.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:55 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:130 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Nexperia

下降时间:16 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:22 ns

工厂包装数量:1500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:51 ns

典型接通延迟时间:25 ns

单位重量:85.100 mg

供应商PSMN8R2-80YS,115
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深圳市科思奇电子科技有限公司PSMN8R2-80YS,115上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司PSMN8R2-80YS,115深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司PSMN8R2-80YS,115深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司PSMN8R2-80YS,115深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
集好芯城PSMN8R2-80YS,115深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司PSMN8R2-80YS,115深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司PSMN8R2-80YS,115深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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深圳市辉华拓展电子有限公司PSMN8R2-80YS,115深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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13380394549
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司PSMN8R2-80YS,115深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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深圳市博浩通科技有限公司PSMN8R2-80YS,115华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
15989349634,13798567707
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深圳市智连鑫科技有限公司PSMN8R2-80YS,115深圳市龙岗区龙岗街道新生村新围4巷7号一楼13357276588
13357276588
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深圳市芯泽盛世科技有限公司PSMN8R2-80YS,115龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳德泰威尔科技有限公司PSMN8R2-80YS,115上步工业区405栋30815766460736
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深圳市华芯盛世科技有限公司PSMN8R2-80YS,115深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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深圳市良普科电子有限公司PSMN8R2-80YS,115华强北上步工业区501栋503室0755-82568696
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PSMN8R2-80YS,115连续漏极电流(Id)(25°C 时):82A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W(Tc) 类型:N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO723.39 Kbytes共14页PSMN8R2-80YS,115的PDF下载地址
PSMN8R2-80YS,115的全球分销商及价格
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PSMN8R2-80YS,115NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 80V 8.5 mOhm Standard MOSFET1500+:¥4.5001
3000+:¥4.1999
7500+:¥3.9901
10500+:¥3.8401
37500+:¥3.72
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10+:¥6.61
100+:¥5.14
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1000+:¥4.44
1500+:¥4.08
9000+:¥3.98
24000+:¥3.89
49500+:¥3.911500+:¥3.781+:¥4.89
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ChipOneStop
PSMN8R2-80YS,115NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 80V 8.5 mOhm Standard MOSFET1500+:¥4.5001
3000+:¥4.1999
7500+:¥3.9901
10500+:¥3.8401
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10+:¥6.61
100+:¥5.14
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1500+:¥4.08
9000+:¥3.98
24000+:¥3.89
49500+:¥3.911500+:¥3.78
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Digi-Key 得捷电子
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10500+:¥3.8401
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75000+:¥3.6
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Digi-Key 得捷电子
PSMN8R2-80YS,115Nexperia USA Inc.MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56$0.97000
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Mouser 贸泽电子
PSMN8R2-80YS,115NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 80V 8.5 mOhm Standard MOSFET1500+:¥4.5001
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9000+:¥3.98
24000+:¥3.89
49500+:¥3.91
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
PSMN8R2-80YS,115NexperiaMOSFET N-CH 80V 8.5 mOhm Standard MOSFET1:¥7.7631
10:¥6.6331
100:¥5.0963
500:¥4.4974
1,000:¥3.5482
1,500:¥3.5482
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Verical
PSMN8R2-80YS,115NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 80V 8.5 mOhm Standard MOSFET1500+:¥4.5001
3000+:¥4.1999
7500+:¥3.9901
10500+:¥3.8401
37500+:¥3.72
75000+:¥3.61+:¥8.28
10+:¥6.61
100+:¥5.14
500+:¥4.55
1000+:¥4.44
1500+:¥4.08
9000+:¥3.98
24000+:¥3.89
49500+:¥3.911500+:¥3.781+:¥4.891+:¥3.88
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立创商城
PSMN8R2-80YS,115Nexperia(安世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):82A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W(Tc) 类型:N沟道1+:¥7.46
10+:¥7.27
30+:¥7.14
100+:¥7