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PSMN7R8-120PSQ /MOSFET N-channel 120V 7.9mo FET
PSMN7R8-120PSQ的规格信息
PSMN7R8-120PSQ的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:120 V

Id-连续漏极电流:70 A

Rds On-漏源导通电阻:6.72 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:167 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:349 W

配置:Single

封装:Tube

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Nexperia

下降时间:60.8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:55.3 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:151.8 ns

典型接通延迟时间:45.5 ns

单位重量:6 g

供应商PSMN7R8-120PSQ
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深圳市坤融电子有限公司PSMN7R8-120PSQ航都大厦10I0755-23990975
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深圳市辉华拓展电子有限公司PSMN7R8-120PSQ深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市芯幂科技有限公司PSMN7R8-120PSQ深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市宇浩扬科技有限公司PSMN7R8-120PSQ深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市毅创腾电子科技有限公司PSMN7R8-120PSQ深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市良普科电子有限公司PSMN7R8-120PSQ华强北上步工业区501栋503室0755-82568696
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万三科技（深圳）有限公司PSMN7R8-120PSQ深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516，18818598465
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上海山峻电子有限公司PSMN7R8-120PSQ上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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PSMN7R8-120PSQ的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		PSMN7R8-120PSQNXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel 120V 7.9mo FET5000+:￥8.511+:￥16.15
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Digi-Key 得捷电子		PSMN7R8-120PSQNXP USA Inc.MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK$1.05000
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Digi-Key 得捷电子		PSMN7R8-120PSQNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK$1.15500
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Mouser 贸泽电子		PSMN7R8-120PSQNexperiaMOSFET N-channel 120V 7.9mo FET1:¥20.3626
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