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PSMN8R5-100PSFQ /MOSFET PSMN8R5-100PSF SOT78/SIL3P
PSMN8R5-100PSFQ的规格信息
PSMN8R5-100PSFQ的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:98 A

Rds On-漏源导通电阻:8.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:44.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:183 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Nexperia

下降时间:23.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:26.8 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:31.5 ns

典型接通延迟时间:16.8 ns

供应商PSMN8R5-100PSFQ
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