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PSMN1R1-30PL,127 /MOSFET N-Ch 30V 1.3 mOhms
PSMN1R1-30PL,127的规格信息
PSMN1R1-30PL,127的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:120 A

Rds On-漏源导通电阻:1.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:243 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:338 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Nexperia

下降时间:115 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:213 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:199 ns

典型接通延迟时间:95 ns

单位重量:6 g

供应商PSMN1R1-30PL,127
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深圳市辉华拓展电子有限公司PSMN1R1-30PL,127深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市芯幂科技有限公司PSMN1R1-30PL,127深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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13357276588		张小姐Email:350367849@qq.com询价
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深圳市良普科电子有限公司PSMN1R1-30PL,127华强北上步工业区501栋503室0755-82568696
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