FET类型:2 个 P 沟道(双)
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):20V
电流-连续漏极(Id)(25°C时):500mA
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):1.4 欧姆 @ 500mA,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):2.1nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):43pF @ 10V
功率-最大值:380mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:DFN1010B-6
无铅情况/RoHs:否