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PMDXB600UNEZ /MOSFET 20 V, dual N-channel Trench MOSFET
PMDXB600UNEZ的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DFN-1010B-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:600 mA

Rds On-漏源导通电阻:3 Ohms, 3 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:450 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:400 pC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:380 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Nexperia

正向跨导 - 最小值:1 S

下降时间:51 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9.2 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:19 ns

典型接通延迟时间:5.6 ns

单位重量:1.200 mg

供应商PMDXB600UNEZ
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PMDXB600UNEZNXP Semiconductors5000+:¥1.37
10000+:¥1.28
25000+:¥1.21
50000+:¥1.1799
125000+:¥1.131+:¥3.25
10+:¥2.15
100+:¥1.56
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PMDXB600UNEZNexperia USA Inc.MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN$0.41000
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PMDXB600UNEZNXP Semiconductors5000+:¥1.37
10000+:¥1.28
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100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
5,000:¥1.4577
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Mouser 贸泽电子
PMDXB600UNEZNXP Semiconductors5000+:¥1.37
10000+:¥1.28
25000+:¥1.21
50000+:¥1.1799
125000+:¥1.131+:¥3.25
10+:¥2.15
100+:¥1.56
1000+:¥1.47
5000+:¥1.4
10000+:¥1.29
25000+:¥1.25
50000+:¥1.23
100000+:¥1.19
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PMDXB600UNEZNexperia(安世)MOS(场效应管)1+:¥1.112709
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