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PMDT670UPE,115 /MOSFET 20V 550 MA DUAL P-CH TRENCH MOSFET
PMDT670UPE,115的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-666-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:550 mA

Rds On-漏源导通电阻:670 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV

Qg-栅极电荷:760 pC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.09 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:2 P-Channel

商标:Nexperia

下降时间:72 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:30 ns

工厂包装数量:4000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:80 ns

典型接通延迟时间:18 ns

单位重量:2.800 mg

供应商PMDT670UPE,115
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PMDT670UPE,115NXP SemiconductorsFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 550 MA DUAL P-CH TRENCH MOSFET4000+:¥0.8201
8000+:¥0.77
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PMDT670UPE,115NXP SemiconductorsFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 550 MA DUAL P-CH TRENCH MOSFET4000+:¥0.8201
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Mouser 贸泽电子
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10+:¥1.66
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Mouser 贸泽电子
PMDT670UPE,115NexperiaMOSFET 20V 550 MA DUAL P-CH TRENCH MOSFET1:¥3.2318
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1,000:¥0.81473
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Verical
PMDT670UPE,115NXP SemiconductorsFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 550 MA DUAL P-CH TRENCH MOSFET4000+:¥0.8201
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24000+:¥0.68
48000+:¥0.66
100000+:¥0.631+:¥0.83991+:¥0.72
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立创商城
PMDT670UPE,115Nexperia(安世)MOS(场效应管)1+:¥1.4756
200+:¥0.5711
500+:¥0.551
1000+:¥0.5411