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NSV40302PDR2G /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMP 40V NPN/PNP LO
NSV40302PDR2G的规格信息
NSV40302PDR2G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-8

晶体管极性:NPN, PNP

集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V

集电极—基极电压 VCBO:40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:6 V, - 7 V

集电极—射极饱和电压:- 0.17 V

增益带宽产品fT:100 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:NSS40302P

直流电流增益 hFE 最大值:230

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:ON Semiconductor

集电极连续电流:3 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:150

Pd-功率耗散:653 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

资格:AEC-Q101

工厂包装数量:2500

子类别:Transistors

单位重量:72 mg

供应商NSV40302PDR2G
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