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NSV1C200LT1G /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V PNP LOW VCE(SAT) TRA
NSV1C200LT1G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:- 100 V

集电极—基极电压 VCBO:- 140 V

发射极 - 基极电压 VEBO:- 7 V

集电极—射极饱和电压:- 950 mV

最大直流电集电极电流:- 3 A

增益带宽产品fT:120 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:NSS1C200L

直流电流增益 hFE 最大值:360 at - 500 mA, - 2 V

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:ON Semiconductor

集电极连续电流:- 2 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:120

Pd-功率耗散:490 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

资格:AEC-Q101

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:8 mg

供应商NSV1C200LT1G
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现代芯城(深圳)科技有限公司NSV1C200LT1Gwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司NSV1C200LT1G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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13352985419
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司NSV1C200LT1G深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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Arrow(艾睿)
NSV1C200LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品3000+:¥1.391+:¥3.42
10+:¥2.5001
100+:¥1.57
1000+:¥1.39
3000+:¥1.3301
9000+:¥1.22
24000+:¥1.19
45000+:¥1.1601
99000+:¥1.133000+:¥1.591+:¥1.4
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NSV1C200LT1GON Semiconductor100V PNP LOW VCE(SAT) TRA - Tape and Reel3,000 : $0.1858
14,999 : $0.1715
29,999 : $0.1681
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NSV1C200LT1GON SemiconductorTRANS PNP 100V 2A SOT23-33,000 : $0.19127
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Digi-Key 得捷电子
NSV1C200LT1GON SemiconductorTRANS PNP 100V 2A SOT23-3$0.57000
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Digi-Key 得捷电子
NSV1C200LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品3000+:¥1.39
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NSV1C200LT1GON SemiconductorNSV Series 100 V 2 A Surface Mount Low Vce PNP Transistor - SOT-23
RoHS : Compliant
3,000 : $0.2111
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Future(富昌)
NSV1C200LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品3000+:¥1.391+:¥3.42
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Mouser 贸泽电子
NSV1C200LT1GON Semiconductor双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V PNP LOW VCE(SAT) TRA1:¥4.1471
10:¥3.4239
100:¥2.0905
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
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Mouser 贸泽电子
NSV1C200LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品3000+:¥1.391+:¥3.42
10+:¥2.5001
100+:¥1.57
1000+:¥1.39
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9000+:¥1.22
24000+:¥1.19
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99000+:¥1.13
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立创商城
NSV1C200LT1GON(安森美)集电极电流Ic:2A 额定功率:490mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:100V1+:¥2.06
10+:¥1.5
30+:¥1.39
100+:¥1.29
500+:¥1.24
1000+:¥1.22