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NSV40200LT1G /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LESHANBE (CN1) XTR
NSV40200LT1G的规格信息
NSV40200LT1G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V

集电极—基极电压 VCBO:- 40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:- 7 V

集电极—射极饱和电压:- 0.135 V

最大直流电集电极电流:- 4 A

增益带宽产品fT:100 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:NSS40200L

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:ON Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:250 at - 10 mA, - 2 V

Pd-功率耗散:710 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

资格:AEC-Q101

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:8 mg

供应商NSV40200LT1G
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现代芯城(深圳)科技有限公司NSV40200LT1Gwww.nowchip.com0755-27381274
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Allied Electronics
NSV40200LT1GON SemiconductorTransistor PNP 40V 2A Low VCE(sat) SOT23250 : $0.154
500 : $0.1524
1,000 : $0.1509
2,500 : $0.1494
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NSV40200LT1GON SemiconductorON Semi NSV40200LT1G PNP Bipolar Transistor; 2 A; 40 V; 3-Pin SOT-23200:$0.24
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NSV40200LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品3000+:¥1.261+:¥3.07
10+:¥2.25
100+:¥1.42
1000+:¥1.25
3000+:¥1.19
9000+:¥1.1
24000+:¥1.07
45000+:¥1.05
99000+:¥1.00993000+:¥1.45
15000+:¥1.3301
30000+:¥1.3
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NSV40200LT1GON SemiconductorLESHANBE (CN1) XTR - Tape and Reel3,000 : $0.1686
14,999 : $0.1547
29,999 : $0.1519
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NSV40200LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品3000+:¥1.26
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Digi-Key 得捷电子
NSV40200LT1GON SemiconductorTRANS PNP 40V 2A SOT-233,000 : $0.17221
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Mouser 贸泽电子
NSV40200LT1GON Semiconductor双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LESHANBE (CN1) XTR1:¥3.7629
10:¥3.0849
100:¥1.8871
1,000:¥1.4577
3,000:¥1.243
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Mouser 贸泽电子
NSV40200LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品3000+:¥1.261+:¥3.07
10+:¥2.25
100+:¥1.42
1000+:¥1.25
3000+:¥1.19
9000+:¥1.1
24000+:¥1.07
45000+:¥1.05
99000+:¥1.0099
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立创商城
NSV40200LT1GON(安森美)集电极电流Ic:2A 额定功率:460mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:40V1+:¥1.6981
10+:¥1.2519
30+:¥1.17
100+:¥1.0336
500+:¥0.99902
1000+:¥0.98192