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NSV40200UW6T1G /ON Semiconductor/分立半导体产品
NSV40200UW6T1G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 单路

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 20mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):150 @ 1A,2V

功率 - 最大值:875mW

频率 - 跃迁:140MHz

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装:6-WDFN(2x2)

供应商NSV40200UW6T1G
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胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
集好芯城NSV40200UW6T1G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
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芯莱德电子(香港)有限公司NSV40200UW6T1G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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郑小姐Email:sam@678ic.com询价
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深圳市辉华拓展电子有限公司NSV40200UW6T1G深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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NSV40200UW6T1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品3000+:¥2.381+:¥5.22
10+:¥4.06
100+:¥2.62
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NSV40200UW6T1GON(安森美)预售晶体管1+:¥6.18
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