100 MHz：增益带宽积 fT
360：直流电最大增益hFE
最大功率消耗：800 mW
最高工作温度：+ 150 C
系列：NSS1C201MZ4
连续集电极电流：2 A
配置：Single
集电极-发射极最大电压VCEO：100 V
集电极-发射极饱和电压：0.18 V
集电极-基极电压VCBO：140 V
RoHS：符合 RoHS
发射机-基极电压VEBO：7 V
品牌：ON Semiconductor
安装风格：SMD/SMT
封装/外壳：SOT-223-3
晶体管极性：NPN
最低工作温度：- 55 C
晶体管类型：NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：2A
电压 - 集射极击穿（最大值）：100V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：180mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：120 @ 500mA，2V
功率 - 最大值：800mW
频率 - 跃迁：100MHz
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223（TO-261）
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs