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NJVNJD35N04T4G /达林顿晶体管 NPN DARLINGTON Pwr TRAN
NJVNJD35N04T4G的规格信息
NJVNJD35N04T4G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:达林顿晶体管

RoHS:

配置:Single

晶体管极性:NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:350 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—基极电压 VCBO:700 V

最大集电极截止电流:250 uA

Pd-功率耗散:45 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:NJD35N04

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:ON Semiconductor

集电极连续电流:4 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:2000

增益带宽产品fT:90 MHz

产品类型:Darlington Transistors

工厂包装数量:2500

子类别:Transistors

单位重量:260.400 mg

供应商NJVNJD35N04T4G
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深圳市河锋鑫科技有限公司NJVNJD35N04T4G华强北都会轩26010755-23903154
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NJVNJD35N04T4GON SemiconductorTRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-42,500 : $0.31828
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