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NJVNJD35N04G /ON Semiconductor/分立半导体产品
NJVNJD35N04G的规格信息
NJVNJD35N04G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：75

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 单路

系列：-

包装：管件

晶体管类型：NPN - 达林顿

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：4A

电压 - 集射极击穿（最大值）：350V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：1.5V @ 20mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）：50µA

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：2000 @ 2A，2V

功率 - 最大值：45W

频率 - 跃迁：90MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：DPAK-3

供应商NJVNJD35N04G
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深圳市辉华拓展电子有限公司NJVNJD35N04G深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市芯幂科技有限公司NJVNJD35N04G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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