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NE685M33-A /CEL/分立半导体产品
NE685M33-A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1

类别:分立半导体产品

家庭:RF 晶体管(BJT)

系列:-

包装:散装

晶体管类型:NPN

电压 - 集射极击穿(最大值):6V

频率 - 跃迁:12GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz

增益:-

功率 - 最大值:130mW

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):75 @ 10mA,3V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):30mA

安装类型:表面贴装

封装/外壳:3-SMD,扁平引线

供应商器件封装:3 针 SuperMiniMold(M33)

供应商NE685M33-A
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NE685M33-ANECs NPN SILICON TRANSISTOR CEL[California Eastern Labs]CEL[California Eastern Labs]的LOGO359.02 Kbytes共6页NE685M33-A的PDF下载地址NE851M33,NE894M03,NE021,NE66719,NE680,NESG2107M33,UPA862TD
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