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NE68133-T1B-A /CEL/分立半导体产品
NE68133-T1B-A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:RF 晶体管(BJT)

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:NPN

电压 - 集射极击穿(最大值):10V

频率 - 跃迁:9GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.2dB @ 1GHz

增益:13dB

功率 - 最大值:200mW

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,8V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):65mA

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SOT-23

其它名称:NE68133-T1B-A-NDNE68133-T1B-ATRNE68133T1BA

供应商NE68133-T1B-A
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NE68133-T1B-ANPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR CEL[California Eastern Labs]CEL[California Eastern Labs]的LOGO663.14 Kbytes共21页NE68133-T1B-A的PDF下载地址2N6059_03,MPS5179_06,NE678M04,NE662M04,NE662M16,NE677M04,MSD42SWT1,CSC2229Y,BUTW92_01,MMBTA44
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NE68133-T1B-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)Trans GP BJT NPN 10V 0.065A 3-Pin SOT-23 T/R
RoHS : Compliant
5 : $0.645
500 : $0.543
2,000 : $0.516
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NE68133-T1B-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)RF TRANSISTOR NPN SOT-23100 : $0.882
25 : $1.008
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1 : $1.26
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NE68133-T1B-ACELRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品1+:¥9.17
10+:¥8.12
25+:¥7.3301
100+:¥6.41
250+:¥5.62
500+:¥4.9901
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NE68133-T1B-ACELRF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23Obsolete
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NE68133-T1B-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)NE68133 Series 10 V 9 GHz NPN Silicon High Frequency Transistor - SOT-23-3
RoHS : Compliant
3,000 : $0.4556
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NE68133-T1B-ACELRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品1+:¥9.17
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25+:¥7.3301
100+:¥6.41
250+:¥5.62
500+:¥4.9901
1000+:¥3.941+:¥4.81
100+:¥4.5001
500+:¥4.06
1000+:¥3.98
3000+:¥3.77
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NE68133-T1B-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)Trans GP BJT NPN 10V 0.065A 3-Pin SOT-23 T/R$0.4576