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NE68530-T1 /CEL/分立半导体产品
NE68530-T1的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：RF 晶体管（BJT）

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：6V

频率 - 跃迁：12GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz

增益：7dB

功率 - 最大值：150mW

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：75 @ 10mA，3V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：30mA

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-70，SOT-323

供应商器件封装：SOT-323

其它名称：NE68530-T1TRNE68530-TRNE68530TR

供应商NE68530-T1
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NE68530-T1SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR NEC[NEC]NEC[NEC]的LOGO176.45 Kbytes共17页NE68530-T1的PDF下载地址NE688,NE687,NE686,SMLA42CSM,PZT651T1,CXT5551HC,2N2857CSM,BCP56T1,BCP68T1,PZTA42T1
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