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NE68133-T1B-R33-A /CEL/分立半导体产品
NE68133-T1B-R33-A的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：RF 晶体管（BJT）

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：10V

频率 - 跃迁：9GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.2dB @ 1GHz

增益：13dB

功率 - 最大值：200mW

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：50 @ 20mA，8V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：65mA

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23

供应商NE68133-T1B-R33-A
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