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NE68139R-T1 /CEL/分立半导体产品
NE68139R-T1的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：RF 晶体管（BJT）

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：10V

频率 - 跃迁：9GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.2dB ~ 2dB @ 1GHz

增益：13.5dB

功率 - 最大值：200mW

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：50 @ 7mA，3V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：65mA

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-143R

供应商器件封装：SOT-143R

其它名称：NE68139R-T1TRNE68139R-TRNE68139RTR

供应商NE68139R-T1
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深圳市芯幂科技有限公司NE68139R-T1深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
万三科技（深圳）有限公司NE68139R-T1深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
18188642307		王小康skype:18188642307Email:leo@wansan.net.cn询价
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NE68139R-T1NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR NEC[NEC]NEC[NEC]的LOGO218.96 Kbytes共20页NE68139R-T1的PDF下载地址NE856,NE66719,NE021,NE680,2SC5384,2SC2570A,2SC4956,UPA810T,MMBR930L
NE68139R-T1NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR CEL[California Eastern Labs]CEL[California Eastern Labs]的LOGO663.14 Kbytes共21页NE68139R-T1的PDF下载地址2N6059_03,MPS5179_06,NE678M04,NE662M04,NE662M16,NE677M04,MSD42SWT1,CSC2229Y,BUTW92_01,MMBTA44
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NE68139R-T1的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子		NE68139R-T1CELRF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143RObsolete
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Digi-Key 得捷电子		NE68139R-T1CELRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品1+:￥6.55
10+:￥5.81
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100+:￥4.58
250+:￥4.02
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1000+:￥2.8201
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Digi-Key 得捷电子		NE68139R-T1-ACELRF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143RObsolete
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Digi-Key 得捷电子		NE68139R-T1-ACELRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品价格未公开
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Mouser 贸泽电子		NE68139R-T1NEC1+:￥6.55
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250+:￥4.02
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Mouser 贸泽电子		NE68139R-T1-ACELRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品价格未公开
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