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NE68139R-T1 /CEL/分立半导体产品

NE68139R-T1的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：RF 晶体管（BJT）

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：10V

频率 - 跃迁：9GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.2dB ~ 2dB @ 1GHz

增益：13.5dB

功率 - 最大值：200mW

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：50 @ 7mA，3V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：65mA

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-143R

供应商器件封装：SOT-143R

其它名称：NE68139R-T1TRNE68139R-TRNE68139RTR

NE68139R-T1的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	NE68139R-T1	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市仓实科技有限公司	NE68139R-T1	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	NE68139R-T1	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市芯脉实业有限公司	NE68139R-T1	深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD-A座2203A	13487865852，18124020586，13760272017，18520805148 13487865852，18124020586，13760272017，18520805148	曹先生，骆小姐，周小姐，高先生	询价
深圳市腾浩伟业电子有限公司	NE68139R-T1	深圳市福田区上步工业区201栋316室	18218171380(微信同号）	李	询价

NE68139R-T1及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
NE68139R-T1	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	NEC[NEC]	218.96 Kbytes	共20页	NE856,NE66719,NE021,NE680,2SC5384,2SC2570A,2SC4956,UPA810T,MMBR930L
NE68139R-T1	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL[California Eastern Labs]	663.14 Kbytes	共21页	2N6059_03,MPS5179_06,NE678M04,NE662M04,NE662M16,NE677M04,MSD42SWT1,CSC2229Y,BUTW92_01,MMBTA44
NE68139R-T1-A	RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143R	CEL	218.99 Kbytes	共20页	无

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