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MRF9080LSR3 / 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 75W RF PWR LDMOS EARLESS

MRF9080LSR3的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Freescale Semiconductor

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

Vds-漏源极击穿电压:65 V

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vgs-栅源极击穿电压 :- 0.5 V, + 15 V

增益:18.5 dB

输出功率:75 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:NI-780S-3

封装:Reel

商标:Freescale Semiconductor

最小工作温度:- 65 C

工作频率:921 MHz to 960 MHz

Pd-功率耗散:250 W

类型:RF Power MOSFET

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

MRF9080LSR3的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	MRF9080LSR3	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	+86-13267088774(微信同号)	李昊	询价
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深圳市斌腾达科技有限公司	MRF9080LSR3	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
北京金州智业科技有限公司	MRF9080LSR3	www.bjjzzy.com	13683302275 13683302275	王先生	询价
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深圳和润天下电子科技有限公司	MRF9080LSR3	深港合作区前湾一路1号A栋201室	13378422395，19129491930	蔡经理，张小姐	询价

MRF9080LSR3及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
MRF9080LSR3	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS	MOTOROLA[Motorola, Inc]		439.15 Kbytes	共12页		MRF21010,MRF21085,MRF373AR1,MRF5S9101NR1,IRFZ42,MRF5S21045,MRF6S9125,MRF6S21100NR1,MRF9135L,MRF21090
MRF9080LSR3	RF Power Field Effect Transistors(N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs)	FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]		316.12 Kbytes	共12页		MRF9060,MRF21010,MRF19045LR3,MRF9030MR1,MRF18030BR3,MRF6S23140HR3,MRF6S9060NR1,MRF6S21060NR1,MRF9030MR1,MRF19030LR3

MRF9080LSR3的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Rochester Electronics	MRF9080LSR3	Freescale Semiconductor	N/A	500 : $46.71 1,000 : $44.38

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