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MRF9045MR1 / 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS T/R
MRF9045MR1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Freescale Semiconductor

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

Vds-漏源极击穿电压:65 V

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vgs-栅源极击穿电压 :- 0.5 V, + 15 V

增益:19 dB

输出功率:45 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-270-3

封装:Reel

商标:Freescale Semiconductor

最小工作温度:- 65 C

工作频率:1 GHz

Pd-功率耗散:177 W

类型:RF Power MOSFET

Vgs th-栅源极阈值电压:2.8 V

供应商MRF9045MR1
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MRF9045MR1RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS MOTOROLA[Motorola, Inc]MOTOROLA[Motorola, Inc]的LOGO648.59 Kbytes共12页MRF9045MR1的PDF下载地址MRF21010,MRF21085,MRF373AR1,MRF5S9101NR1,IRFZ42,MRF5S21045,MRF6S9125,MRF6S21100NR1,MRF9080,MRF21090
MRF9045MR1The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET MOTOROLA[Motorola, Inc]MOTOROLA[Motorola, Inc]的LOGO144.82 Kbytes共8页MRF9045MR1的PDF下载地址MRF373,MRFE6P3300HR3,MRF6P24190HR6,MRF6P9220HR3_06,MRF6P27160HR6_06,MRF1518T1,MRF6P23190HR6,MRF6V2010NR1,MRF151A,MRF18030BLR3
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MRF9045MR1Freescale SemiconductorN/A500 : $23.72
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