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MRF9060MR1 / 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR FET 60W TO-270

MRF9060MR1的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Freescale Semiconductor

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

Vds-漏源极击穿电压:65 V

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vgs-栅源极击穿电压 :- 0.5 V, + 15 V

增益:18 dB

输出功率:60 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-270-3

封装:Reel

商标:Freescale Semiconductor

最小工作温度:- 65 C

工作频率:1 GHz

Pd-功率耗散:223 W

类型:RF Power MOSFET

Vgs th-栅源极阈值电压:2.8 V

MRF9060MR1

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MRF9060MR1及相关型号的PDF资料

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MRF9060MR1	The RF Sub-micron MOSFET Line RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N-channel Enhancement-mode Lateral MOSFETs	MOTOROLA[Motorola, Inc]		422.95 Kbytes	共12页		MRF9030MR1,MRF9030MR1,MRF9030LR1,MRF19030LR3,MRF5S19100HR3,MRF18085A,MRF1517T1,MRF21120,MRF5S21130,MRF5S21100LR3

MRF9060MR1的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Rochester Electronics	MRF9060MR1	Freescale Semiconductor	N/A	500 : $30.28 1,000 : $28.76

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