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MRF8VP13350NR3 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350N/FM4F///REEL 13 Q2 DP

MRF8VP13350NR3的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:Dual N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:1.3 A

Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 100 V

增益:19.2 dB

输出功率:350 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:OM-780-4

封装:Reel

工作频率:700 MHz to 1300 MHz

系列:MRF8VP13350

类型:RF Power MOSFET

商标:NXP / Freescale

通道数量:2 Channel

湿度敏感性:Yes

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:250

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V

零件号别名:935316089528

单位重量:3.065 g

MRF8VP13350NR3

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深圳市辉华拓展电子有限公司	MRF8VP13350NR3	深圳市福田区航都大厦25F	0755-83289799 18129819897	蔡小姐	询价
深圳市芯幂科技有限公司	MRF8VP13350NR3	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司	MRF8VP13350NR3	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C	实-单-专-线V+18938047708 18938047708/18938048779	林炜东，林俊源	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	MRF8VP13350NR3	华强北都会轩2601	0755-23903154 13430590551	杨晓芳	询价
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MRF8VP13350NR3	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350N/FM4F///REEL 13 Q2 DP	NXP / Freescale		799.10 Kbytes	共23页		无
MRF8VP13350NR3	TRANS RF LDMOS 350W 50V	NXP USA Inc.		739.39 Kbytes	共23页		无

MRF8VP13350NR3的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Digi-Key 得捷电子	MRF8VP13350NR3	NXP USA Inc.	TRANS RF LDMOS 350W 50V	$294.81952
Mouser 贸泽电子	MRF8VP13350NR3	NXP / Freescale	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 700-1300 MHz, 350 W CW, 50 V	250:¥1,019.9719

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