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MRF9030MBR1 / 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER FET 30W 1 GHZ
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Freescale Semiconductor

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

Vds-漏源极击穿电压:65 V

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :- 0.5 V, + 15 V

增益:20 dB

输出功率:30 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-272-3 EP

封装:Reel

商标:Freescale Semiconductor

最小工作温度:- 65 C

工作频率:1 GHz

Pd-功率耗散:139 W

类型:RF Power MOSFET

Vgs th-栅源极阈值电压:2.9 V

供应商MRF9030MBR1
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