MMBT5551G-B-AE3-R
/集电极电流Ic:600mA 额定功率:350mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:160V
MMBT5551G-B-AE3-R的规格信息
商品类型三极管
额定功率350mW
集电极电流Ic600mA
集射极击穿电压Vce160V
晶体管类型NPN
MMBT5551G-B-AE3-R
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MMBT5551G-B-AE3-R | 集电极电流Ic:600mA 额定功率:350mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:160V | UTC(友顺) |  | 167.3 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
MMBT5551G-B-AE3-R的全球分销商及价格
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 立创商城 | MMBT5551G-B-AE3-R | UTC(友顺) | 集电极电流Ic:600mA 额定功率:350mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:160V | 20+:¥0.179308 200+:¥0.140323 600+:¥0.133163 2000+:¥0.126003
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