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MMBT5551-G /射频(RF)双极晶体管 VCEO=160V IC=600mA
MMBT5551-G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Comchip Technology

产品种类:射频(RF)双极晶体管

RoHS:

系列:MMBT5551

晶体管类型:Bipolar Power

技术:Si

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

类型:RF Bipolar Power

商标:Comchip Technology

产品类型:RF Bipolar Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

供应商MMBT5551-G
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MMBT5551-G集电极电流Ic:600mA 额定功率:300mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:160VCJ(江苏长电/长晶)CJ(江苏长电/长晶)的LOGO841.56 Kbytes共4页MMBT5551-G的PDF下载地址
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MMBT5551-GComchip Technology射频(RF)双极晶体管 VCEO=160V IC=600mA1:¥3.2318
10:¥2.0905
100:¥0.94468
1,000:¥0.5989
3,000:¥0.45313
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MMBT5551-GCJ(江苏长电/长晶)集电极电流Ic:600mA 额定功率:300mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:160V50+:¥0.10038
500+:¥0.07539
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MMBT5551-GCJ(江苏长电/长晶)集电极电流Ic:600mA 额定功率:300mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:160V50+:¥0.094869
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MMBT5551-G1ZRE(治润)三极管50+:¥0.065364
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