MMBT5551_R1_00001的供应商，MMBT5551_R1_00001规格参数，MMBT5551_R1

MMBT5551_R1_00001 /集电极电流Ic：600mA 额定功率：250mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：160V

MMBT5551_R1_00001的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型三极管

额定功率250mW

集电极电流Ic600mA

集射极击穿电压Vce160V

晶体管类型NPN

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集好芯城	MMBT5551_R1_00001	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
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深圳市博浩通科技有限公司	MMBT5551_R1_00001	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
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万三科技（深圳）有限公司	MMBT5551_R1_00001	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价

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MMBT5551_R1_00001	集电极电流Ic：600mA 额定功率：250mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：160V	PANJIT(强茂)		302.52 Kbytes	共6页		无

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