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MMBT5401Q-7-F /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Hi Voltage Trans
MMBT5401Q-7-F的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:- 150 V

集电极—基极电压 VCBO:- 160 V

发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V

集电极—射极饱和电压:- 200 mV

增益带宽产品fT:300 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MMBT5401

直流电流增益 hFE 最大值:240 at - 10 mA, - 5 V

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:Diodes Incorporated

集电极连续电流:- 600 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:60 at - 10 mA, - 5 V

Pd-功率耗散:310 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

资格:AEC-Q101

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:8 mg

供应商MMBT5401Q-7-F
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MMBT5401Q-7-F集电极电流Ic:600mA 额定功率:350mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:150VDIODES(美台)DIODES(美台)的LOGO287.23 Kbytes共7页MMBT5401Q-7-F的PDF下载地址
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MMBT5401Q-7-FDIODES(美台)集电极电流Ic:600mA 额定功率:350mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:150V10+:¥0.274858
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