MMBT5401G-B-AE3-R
/集电极电流Ic:600mA 额定功率:350mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:150V
MMBT5401G-B-AE3-R的规格信息
商品类型三极管
额定功率350mW
集电极电流Ic600mA
集射极击穿电压Vce150V
晶体管类型PNP
MMBT5401G-B-AE3-R
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MMBT5401G-B-AE3-R | 集电极电流Ic:600mA 额定功率:350mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:150V | UTC(友顺) |  | 110.40 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
MMBT5401G-B-AE3-R的全球分销商及价格
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 立创商城 | MMBT5401G-B-AE3-R | UTC(友顺) | 集电极电流Ic:600mA 额定功率:350mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:150V | 20+:¥0.171802 200+:¥0.129319 600+:¥0.121516 2000+:¥0.113713
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