FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动
漏源电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.8A,1.5A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):188 毫欧 @ 900mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):88pF @ 10V
功率 - 最大值:800mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-SMD,扁平引线
供应商器件封装:SC-88FL/MCPH6
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs